A beágyazott DRAM alkalmazása lehetővé teszi az energia-takarékosságot különböző &8221; segítségével. Ilyen például a már ma is használt alvó mód, a részleges tápenergia kikapcsolás, a hőmérséklet kompenzáció a lapkán, és mindezek ellenére nő az adattartási idő.

A 65nm-es beágyazott DRAM technológia 10 fémréteget használ – mondta a TSMC szóvivője. A cella mérete kevesebb, mint a SRAM cella negyede és a makró-sűrűség 4Mbit-től 256Mbitig terjed. A TSMC a 65nm-es termékek gyártását 2006. második negyedévében kezdte, a 90nm-es beágyazott DRAM eljárást 2006. első negyedévétől használja.