A Samsung új, a korábbiaknál gyorsabb és nagyobb adattároló kapacitású NAND flashmemória eszközt fejlesztett ki mobiltelefonokhoz.
Az új, 90 nm-es technológiával készülő 1 Gb OneNAND Flash csip 108 MB/s-os NOR flash olvasási és 10 MB/s-os írási sebességet tesz lehetővé, adattároló kapacitása pedig eléri az 1 gigabitet (Gb). Segítségével lehetővé válik az 5 megapixeles kamerával és multimédiás alkalmazásokkal ellátott mobiltelefonokon VGA mozgóképfelvételek élő rögzítése, illetve szupergyors állóképsorozatok készítése is.
Ez úgy lehetséges, hogy a csip NAND architektúrája logikai interfészt és puffermemória alkalmazást is tartalmaz, így az adatok külön DRAM pufferelés nélkül közvetlenül a flashmemóriába írhatók. A Samsung szerint két One NAND flashmemória eszköz és egy mobil SDRAM alkalmazás egy MCP lapkacsomagba építve ideálisan megfelel a harmadik generációs mobiltelefonok által támasztott teljesítmény és memóriaigényeknek.
A koreai technológiai cég egyelőre nem tette közzé, hogy mikor dobja piacra az új eszközt, ám mivel már van 5 megapixeles kamerával ellátott mobiltelefonjuk, a forgalmazás valószínűleg még a közeljövőben megindul majd.
Kapcsolódó linkek:
Samsung Mobile
