A japán DRAM gyártó, az Elpida Memory bejelentette, hogy kifejlesztette a következő generációs, 512Mbites SDRAM lapkát, amely a DDR3 (kétszeres adatsebesség 3) technológián alapul.
A Micron, a Samsung és egyéb DRAM gyártók szintén fejlesztenek DDR3 SDRAM memóriát. A DDR3 architektúra adatátviteli sebessége maximum 1333Mbps, ami a jelenleg nagy mennyiségben gyártott DDR2 architektúra sebességének a kétszerese. Az 512Mbites DDR3 lapkát az Elpida 90nm-es technológiával gyártja.
A vállalat a lapka mintáit 2005 végén szállítja, sorozatgyártása 2006 elején kezdődik. Az Elpida nagyobb sűrűségű - 1GB és 2GB - DDR3 lapkákat is fejleszt.
A vállalat az új lapkákhoz "kétkapus" tranzisztor-technológiát használ. Ez a technológia csökkenti a DRAM eszközökben a szivárgási áramot, de több energiát igényel - 1,5V helyett 1,8V tápfeszültség - mint a jelenleg használt DDR2 architektúra.
"A kétkapus tranzisztorok használata - először DRAM lapkán - lehetővé teszi, hogy az új 512Mbites DDR3 eszköz nagy sebességgel működjön, ami kritikus lehet a következő generációs számítógépekben" - mondta Jun Kitano az Elpida amerikai részlegének műszaki igazgatója.
Kapcsolódó linkek:
Elpida Memory
