Az STMicroelectronics franciaországi laboratóriumában új memóriagyártási technológiát dolgoztak ki, amely a félvezető alapú memóriákat a háttérsugárzás okozta javítható hibákkal szemben ellenállóvá teszi, továbbá a chipek méretcsökkentésének fő akadályát is elhárítja.
A chipgyártókat már jó ideje aggasztja a generációváltás eredménye, a tranzisztorok csökkenő mérete, mert ebből kifolyólag nő a háttérsugárzás ionizáló hatása, mely módosítja a memóriacellákban tárolt 1-eseket és 0-kat.
Napjainkban a kozmikus sugarak, valamint az ólomban található, természetes háttérsugárzást okozó nyomelemek - mint a rádium és tórium - is létrehozhatják az ún. javítható hibákat. Jóllehet ezzel a hibafajtával rendkívül ritkán találkozhatunk, egy bit megváltozása is egy program eredményének megváltozásához, vagy akár a rendszer összeomlásához is vezethet. Következmény: a memóriagyártók hibajavító áramköröket építettek be a chipekbe, de a javítható hibák jelentette fenyegetést elhárító áramkörök bonyolultabb szerkezetűvé és drágábbá tették azokat.
A javítható hibák kijavítására az STMicroelectronics kutatói a chip méretét nem változtató megoldással rukkoltak elő: egy kondenzátort építettek a memória-áramkörre. A 3D-s megoldást kihasználva csökkenthető annak a valószínűsége, hogy sugárzás hatására megváltozzék a logikai bit (1 vagy 0). Az STMicroelectronics által kiadott nyilatkozat szerint a technológiát már jövőre alkalmazni fogják a beágyazott statikus RAM-ok (SRAM) gyártásánál. Ezt a memóriatípust a chipbe integrált rendszerek - mint például digitális fényképezőgépek és mobiltelefonok - processzorainál használják, azaz egy tokozásba több különböző funkciójú chip kerül.
"Ez az áttörés sokkal robusztusabb rendszereket ad felhasználóink kezébe" - mondta Jean-Pierre Schoellkopf, az STMicroelectronics kutató- és fejlesztőcsoportjának igazgatója. A csoport a héten jelenti be hivatalosan a fejlesztést.
Kapcsolódó linkek:
ST Microelectronics
